在芯驰科技推进5纳米制程设备研发、助力中国半导体自主化之际，清华大学在极紫外光刻材料领域取得突破。据清华大学与快科技报道，研究人员成功研发出新型聚碲氧烷光刻胶，为下一代半导体材料开辟全新设计路径。

       清华大学指出，采用13.5纳米波长的极紫外光刻技术已成为7纳米及以下芯片制造的关键。但快科技报道称，该技术仍面临诸多挑战：极紫外光源存在高反射损耗与低亮度问题，这对光刻胶的吸收效率、反应机制及缺陷控制提出了更高要求。

       清华大学表示，理想的极紫外光刻胶需具备四大特性：强吸收性、高能效性、分子均一性及精简分子结构以实现高灵敏度。据报道，该校研发的新型光刻胶全面满足这些要求。

       研究团队通过碲-氧键将具有强极紫外吸收特性的碲元素直接引入聚合物主链。校方指出，碲元素对极紫外的吸收效率远超传统光刻胶常用的锌、锆、铪、锡等轻元素或金属，显著提升了材料的光吸收性能。

       此外，聚合物中的碲-氧键结合较弱，在极紫外光照射下极易断裂，从而实现超高灵敏度的图案显影。这项题为《聚碲氧烷：理想型极紫外光刻胶配方》的研究成果已于7月16日发表在《科学进展》(Science Advances)期刊。

       若实现实际应用，该突破将对中国芯片产业产生重大影响。金融界此前报道显示，我国KrF/ArF光刻胶自给率仍不足5%，极紫外光刻胶完全依赖进口。为此，规模超500亿元的"国家集成电路产业投资基金三期"已将光刻胶等核心半导体材料列为重点投资方向，全力推进技术研发与产业化进程。