行业解决方案
SOLUTION

UPC FAB Cu VMS 2001半导体微电化学铜工艺

UPC FAB Cu VMS 2001 设计用于半导体微电子电化学铜沉积层结构工艺，
能同时成功满足 RDL patterns、TSV、Cu pillar 等芯片制程工艺。

特性与优点

1. 制程容易控制，电化学铜沉积层的均匀度极佳，深镀能力速度快，无空洞。

2. 镀层不产生针孔，内应力低，富延展性，均匀性极高，电阻低，优良热传输功能。
3. 电流密度范围宽阔，使用更稳定。
4. 可应用于各种不同类型的材料，WIW、WID 芯片制程。